
Корпорация Walton Chaintech представляет новые модули памяти APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 в наборе 4 гигабайт (2х2Гб).
Новые модули производятся на основе восьмислойной печатной платы и выполнены в соответствии со стандартом качества JEDEC. По сравнению со стандартными модулями памяти DDR2 800, новые модули APOGEE GT DDR 1150 имеют пропускную способность 9.6 гигабайт/с, что практически на 50 % выше, чем стандартные модули памяти DDR2 800, характеризующиеся 6.4 гигабайт/с.
С поддержкой двухканального режима работы и таймингами 5-5-5-15, APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 позиционируется корпорацией как элитная память с высочайшим уровнем производительности и тактовой частоты. Каждый модуль обладает уже ставшим знаменитым красным радиатором с надписью Apogee GT, который способствует уменьшению высокой температуры в процессе разгона.
Модули памяти APOGEE GT DDR2 1150 и 1200 построены на базе микросхем 128М х 8 микросхем номиналом до 4 гигабайт. Парная упаковка объёмом 4 гигабайт гарантирует совместимость модулей при работе в двухканальном режиме и позволяет сохранить больше свободных слотов на Вашей материнской плате.
Источник: http://news.ferra.ru/hard/2008/05/07/78787/
Вернуться на главную
Пока к этой статье нет комментариев



